Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 8.3 A, TSOP, 贴片安装, 6引脚, HEXFET系列

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RS 库存编号:
165-5842
制造商零件编号:
IRLTS6342TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

8.3 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

TSOP

系列

HEXFET

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

22 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.1V

最小栅阈值电压

0.5V

最大功率耗散

2 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-12 V、+12 V

宽度

1.75mm

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

11 nC @ 15 V

长度

3mm

高度

1.3mm

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。


MOSFET 晶体管，Infineon


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