Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 25 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 165-5922
- 制造商零件编号:
- IRLR3105TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-5922
- 制造商零件编号:
- IRLR3105TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 43mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 43mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.22 mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.39mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，25A 最大连续漏极电流，57W 最大功率耗散 - IRLR3105TRPBF
这种 MOSFET 适用于对电力控制要求极高的高性能应用。它提供高效开关和有效的热管理，可在很宽的温度范围内工作，因此成为自动化、电子和电气领域专业人员的有利选择。
特点和优势
• 通过低 Rds（on）提高效率，减少功率损耗
• 支持最大 25A 连续漏极电流
• 允许双栅-源电压电平，提高了灵活性
• 保持热稳定性，最高工作温度可达 +175°C
• 采用紧凑型 DPAK TO-252 封装，可直接进行表面贴装
• 设计用于快速切换，以提高性能
应用
• 控制自动化系统中的电机驱动器
• 用于电源管理电路以提高能效
• 集成到电子设备的直流-直流转换器中
• 适用于要求高可靠性的工业设备
• 用于电池管理系统，以优化运行
工作温度范围是多少？
工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，可在各种环境下使用。
它如何处理切换速度？
它专为快速开关而设计，可确保在需要快速开关周期的应用中实现高性能。
它支持什么类型的安装？
该器件专为使用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装应用而设计。
能否用于高压应用？
是的，它的最大漏极-源极电压为 55V，适合高压电路。
应如何考虑功率耗散？
功率耗散最高可达 57W，降额系数为 0.38W/°C，可确保在各种热条件下安全运行。