Infineon N/P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=20 V, 4.7 A，5.7 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚

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RS 库存编号:
165-5937
制造商零件编号:
IRF7307TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

4.7 A，5.7 A

最大漏源电压

20 V

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

70 mΩ、140 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

0.7V

最小栅阈值电压

0.7V

最大功率耗散

2 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-12 V、+12 V

典型栅极电荷@Vgs

20 nC @ 4.5 V，22 nC @ 4.5 V

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

2

长度

5mm

晶体管材料

Si

宽度

4mm

高度

1.5mm

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
MY

双 N/P 通道功率 MOSFET，Infineon


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