Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=60 V, 79 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
165-5964
制造商零件编号:
IRFR1018ETRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

79 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

8.4 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

110 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

晶体管材料

Si

典型栅极电荷@Vgs

46 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

每片芯片元件数目

1

高度

2.39mm

系列

HEXFET

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
MX

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。


MOSFET 晶体管，Infineon


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