Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 18 A, I2PAK (TO-262), 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 165-6089
- 制造商零件编号:
- SIHF640L-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB10.969 | RMB548.45 |
| 100 - 450 | RMB10.612 | RMB530.60 |
| 500 + | RMB9.551 | RMB477.55 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-6089
- 制造商零件编号:
- SIHF640L-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 18 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 封装类型 | I2PAK (TO-262) | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 180 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 130 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 11.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 18 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
封装类型 I2PAK (TO-262) | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 180 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 130 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 70 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 11.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor