Vishay , 2 P型沟道 隔离式 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 6.5 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 165-6282
- 制造商零件编号:
- SI4909DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥10,930.00
(不含税)
¥12,350.00
(含税)
有库存
- 2,500 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB4.372 | RMB10,930.00 |
| 12500 + | RMB4.285 | RMB10,712.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-6282
- 制造商零件编号:
- SI4909DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 34mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 3.2W | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 宽度 | 4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 6.5A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 34mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 150°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41.5nC | ||
最大功耗 Pd 3.2W | ||
最高工作温度 -55°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
长度 5mm | ||
高度 1.55mm | ||
宽度 4 mm | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN