Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 11.3 A, SC-70, 表面安装, 6引脚, ThunderFET系列

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RS 库存编号:
165-6297
制造商零件编号:
SIA416DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11.3A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

ThunderFET

包装类型

SC-70

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

0.85V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6.5nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

19W

最高工作温度

150°C

宽度

2.15 mm

标准/认证

No

高度

0.75mm

长度

2.15mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MOSFET,中等电压/ThunderFET®,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor