Microchip N沟道耗尽型MOS管 DN3135系列, Vds=350 V, 72 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 165-6450P
- 制造商零件编号:
- DN3135K1-G
- 制造商:
- Microchip
小计 25 件 (按连续条带形式提供)*
¥103.075
(不含税)
¥116.475
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 10,650 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 + | RMB4.123 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-6450P
- 制造商零件编号:
- DN3135K1-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 72 mA | |
| 最大漏源电压 | 350 V | |
| 系列 | DN3135 | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 35 Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -3.5 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 正向二极管电压 | 1.8V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 72 mA | ||
最大漏源电压 350 V | ||
系列 DN3135 | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 35 Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -3.5 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.02mm | ||
正向二极管电压 1.8V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管
Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
特点
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
典型应用
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信
DN3135 是一款低阈值耗尽型（常开）晶体管，采用先进的垂直 DMOS 结构和久经考验的硅栅极制造工艺。该组合可使设备具有双极性晶体管的功率处理能力，以及 MOS 设备固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特性确保该设备能够免受热耗散和热感应次级击穿的影响。垂直 DMOS FET 非常适合各种需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Microchip