STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 2.3 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, STripFET V系列
- RS Stock No.:
- 165-6538
- Mfr. Part No.:
- STR2N2VH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Bulk discount available
Subtotal (1 reel of 3000 units)*
¥8,298.00
(exc. VAT)
¥9,378.00
(inc. VAT)
有库存
- 另外 3,000 件在 2025年12月15日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
Units | Per unit | Per Reel* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB2.766 | RMB8,298.00 |
| 6000 - 9000 | RMB2.683 | RMB8,049.00 |
| 12000 + | RMB2.603 | RMB7,809.00 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 165-6538
- Mfr. Part No.:
- STR2N2VH5
- Brand:
- STMicroelectronics
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | STripFET V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 350mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.75 mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 2.3A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 STripFET V | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 40mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 350mW | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.75 mm | ||
长度 3.04mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
