STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=80 A, 3针, TO-252, DeepGate, STripFET系列

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RS 库存编号:
165-6582
制造商零件编号:
STD80N4F6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

系列

DeepGate, STripFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

70W

正向电压 Vf

1.3V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

36nC

最高工作温度

175°C

高度

2.4mm

宽度

6.2mm

长度

6.6mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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