Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=40 V, 40 A, TSDSON封装, 表面贴装, 8引脚

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RS 库存编号:
165-6656
制造商零件编号:
BSZ042N04NSGATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

40 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

TSDSON

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

4.2 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

69 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

35 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

长度

3.4mm

宽度

3.4mm

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

系列

OptiMOS 3

高度

1.1mm

最低工作温度

-55 °C

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V


OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET，用于 SMPS
优化技术，用于直流/直流转换器
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N 通道，逻辑电平
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极低导通电阻 R DS(on)
无铅电镀


MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。