STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 60 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STripFET II系列
- RS Stock No.:
- 165-6855
- Mfr. Part No.:
- STB60NF06LT4
- Brand:
- STMicroelectronics
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Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | STripFET II | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 14mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 35nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最低工作温度 | -65°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 STripFET II | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 14mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 35nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 15 V | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最低工作温度 -65°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 9.35 mm | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.6mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。