Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 3系列

RS 库存编号:: 165-6893
制造商零件编号:: BSC160N10NS3GATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 3系列

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制造商零件编号:: BSC160N10NS3GATMA1
制造商:: Infineon

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	42A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TDSON
	系列	OptiMOS 3
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	33mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	19nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	60W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	150°C
	长度	5.35mm
	标准/认证	No
	宽度	6.35 mm
	高度	1.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 42A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TDSON
	系列 OptiMOS 3
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 33mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 60W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 150°C
	长度 5.35mm
	标准/认证 No
	宽度 6.35 mm
	高度 1.1mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET，42A 最大连续漏极电流，60W 最大功率耗散 - BSC160N10NS3GATMA1

这款 MOSFET 专为提高效率和耐用性而设计，适用于各种应用。它是电源管理系统的基本组件，在开关应用方面表现出色，因此适用于自动化和电气领域。其令人印象深刻的特性，包括高持续漏极电流和低导通电阻，优化了在各种环境下的性能，确保了强度和效率。

特点和优势

• 支持 42A 连续耗尽电流，可执行高功率任务

• 最大漏极-源极电压为 100V，适用范围广泛

• 导通电阻低至 33mΩ，提高了能效

• 设计采用表面贴装结构，便于电路集成

• 可在高达 +150°C 的高温环境下工作

• 采用单 N 沟道配置，提高了稳定性

应用

• 用于电源和转换器，实现有效的能源管理

• 适用于需要紧凑高效的电源设备

• 用于电机控制系统，提高响应速度

• 适用于需要强大供电能力的电信系统

• 常用于可再生能源系统，以实现高效的功率转换

操作该设备的热极限是多少？

该设备的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C ，适合各种环境条件。

低导通电阻对电路设计有何益处？

低导通电阻降低了工作时的功率损耗，提高了电路效率并减少了发热。

这种 MOSFET 是否需要特定的安装方法？

这款 MOSFET 采用表面贴装设计，便于直接集成到印刷电路板中。

这种 MOSFET 能否用于脉冲应用？

是的，它可以承受高达 168A 的脉冲电流，因此非常适合涉及瞬态负载的应用。

安装时需要考虑哪些安全措施？

必须将栅极源极电压控制在 -20V 至 +20V 的指定范围内，以防止损坏，同时确保符合热阻额定值，以实现最佳性能。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 42 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 3系列