Vishay , 2 P型, P型沟道 隔离式 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 135 mA, SC-89-6, 表面, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列, SI1025X-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 165-6899
- 制造商零件编号:
- SI1025X-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 165-6899
- 制造商零件编号:
- SI1025X-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型, P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 135mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SC-89-6 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面, 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 250mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.4V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 宽度 | 1.2mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型, P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 135mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SC-89-6 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面, 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 8Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 250mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.4V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
宽度 1.2mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.6mm | ||
长度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH