Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=12 V, 8 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 165-6917
- 制造商零件编号:
- SI3477DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
此图片代表整个产品系列，仅供参考。
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥9,645.00
(不含税)
¥10,899.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月24日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | RMB3.215 | RMB9,645.00 |
| 15000 + | RMB3.151 | RMB9,453.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-6917
- 制造商零件编号:
- SI3477DV-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 12V | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 58nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 4.2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | |
| 正向电压 Vf | -0.8V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 1.7 mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 8A | ||
最大漏源电压 Vd 12V | ||
包装类型 TSOP | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 58nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 4.2W | ||
最大栅源电压 Vgs 10 V | ||
正向电压 Vf -0.8V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
宽度 1.7 mm | ||
长度 3.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN