Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 5.9 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, TrenchFET系列

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165-6934
制造商零件编号:
SI2365EDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

5.9A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SOT-23

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.0675Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

13.8nC

最低工作温度

-50°C

最大栅源电压 Vgs

8 V

最大功耗 Pd

1.7W

正向电压 Vf

-0.8V

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

宽度

1.4 mm

标准/认证

RoHS

高度

1.02mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN

P 通道 MOSFET,8V 至 20V,Vishay Semiconductor


MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor