Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 12 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, Si4178DY系列
- RS 库存编号:
- 165-7249
- 制造商零件编号:
- SI4178DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 165-7249
- 制造商零件编号:
- SI4178DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | Si4178DY | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 33mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.85V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 5mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.55mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 Si4178DY | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 33mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.85V | ||
最大栅源电压 Vgs 25V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 5mm | ||
宽度 4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.55mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Si4178DY 系列 MOSFET,30 V 最大漏源电压,12 A 最大连续漏电流 - SI4178DY-T1-GE3
这是一款表面贴装 N 通道 MOSFET,专为电子系统中的电源开关和高电流应用而设计。它作为增强模式晶体管运行,并采用SOIC-8封装,用于PCB安装。该设备支持中等电压开关,适用于需要具有受控栅极电荷特性的紧凑型功率晶体管的设计。
特性和优点：
• 30 V 最大漏电压,可实现低电压电源切换 • 12 A 连续漏电流,可处理高负载电流 • 33 mΩ 漏源电阻,可减少传导损耗 • 7.5nC 典型栅极电荷,可实现更快的开关转换 • 5W 功耗容量,可实现持久的热性能 • -55°C 至 150°C 工作温度范围,耐热性宽
应用
• 适用于自动化面板中的直流配电开关 • 适用于工业驱动器中的电机驱动器低侧开关 • 用于控制系统电源管理电路中的负载切换 • 可用于紧凑型电源转换器中的同步整流 • 适用于机械设备中的电池保护和电源路径控制
在设计过程中,应遵守哪些栅极电压限制?
栅极-源电压不得超过 ±25V,以防止栅极氧化应力并确保可靠的开关。
如何在 PCB 上进行热管理?
具有 5 W 耗散额定值,提供足够的铜面积和热通道,可在连续高电流操作期间降低接点温度。
针数和封装因素对布局有何影响?
该设备采用 8 针 SOIC 封装,因此轨道宽度和垫间距应适应表面贴装组装和热传导。
脉冲应用中的开关速度有哪些电气特性?
在选择栅极驱动器时,典型栅极电荷为 7.5nC 是影响驱动要求和切换转换时间的关键参数。