Vishay N/P沟道增强型MOS管, Vds=8 V，30 V, 6.4 A，12 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚

品牌

Vishay

通道类型

N，P

最大连续漏极电流

6.4 A，12 A

最大漏源电压

8 V，30 V

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

20 mΩ、37 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

0.45V

最大功率耗散

3.1 W, 4.5 W

晶体管配置

共漏极

最大栅源电压

-20 V、-8 V、+20 V、+8 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

宽度

4mm

每片芯片元件数目

2

长度

5mm

典型栅极电荷@Vgs

16.5 nC @ 10 V，27.5 nC @ 8 V

最低工作温度

-55 °C

高度

1.55mm