STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 250 mA, SOT-223, 表面安装, 4引脚

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RS 库存编号:
165-7543
制造商零件编号:
STN1NK80Z
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

250mA

最大漏源电压 Vd

800V

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

16Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.6V

最大功耗 Pd

2.5W

最大栅源电压 Vgs

30 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.7nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

长度

6.5mm

高度

1.8mm

宽度

3.5 mm

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


MOSFET 晶体管,STMicroelectronics