STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1 kV, Id=2.2 A, 3针, TO-252, MDmesh, SuperMESH系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 2500 件）*

RMB37,482.50

(不含税)

RMB42,355.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年1月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
2500 - 10000RMB14.993RMB37,482.50
12500 +RMB14.693RMB36,732.50

* 参考价格

RS 库存编号:
165-8050
制造商零件编号:
STD4NK100Z
制造商:
STMicroelectronics
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

STMicroelectronics

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.2A

最大漏源电压 Vd

1kV

包装类型

TO-252

系列

MDmesh, SuperMESH

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

6.8Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最大功耗 Pd

90W

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.6V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

高度

2.4mm

长度

6.6mm

宽度

6.2mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics


MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


相关链接