Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 375 A, DirectFET, 表面安装, 15引脚
- RS 库存编号:
- 165-8086
- 制造商零件编号:
- IRF7749L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 卷，共 4000 件）*
¥77,648.00
(不含税)
¥87,744.00
(含税)
有库存
- 4,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 4000 - 16000 | RMB19.412 | RMB77,648.00 |
| 20000 + | RMB19.023 | RMB76,092.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-8086
- 制造商零件编号:
- IRF7749L1TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 375A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 15 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 200nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 0.49mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 7.1 mm | |
| 长度 | 9.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 375A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 DirectFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 15 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 200nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 0.49mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 7.1 mm | ||
长度 9.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
DirectFET® 功率 MOSFET，Infineon
DirectFET® 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。
在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低，尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型，仅 0.7mm
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。