Infineon , 1 N型, N型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 43 A, TO-220FP, 通孔, 通孔安装, 3引脚, OptiMOS 3系列, IPA093N06N3GXKSA1
- RS 库存编号:
- 165-8110
- 制造商零件编号:
- IPA093N06N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 165-8110
- 制造商零件编号:
- IPA093N06N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型, N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 43A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-220FP | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 安装类型 | 通孔, 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 36nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 高度 | 16.15mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.85mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型, N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 43A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-220FP | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
安装类型 通孔, 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.65mm | ||
高度 16.15mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.85mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可应对最具挑战性的应用，在有限空间内提供充分的灵活性。这些 Infineon 产品旨在满足并超越计算应用中日益严苛的新一代电压调节标准对能效与功率密度的要求。
适用于 SMPS 的快速开关 MOSFET
针对 DC-DC 转换器优化的技术
依据 JEDEC1 标准针对目标应用完成认证
N 沟道，逻辑电平
优异的栅极电荷与导通电阻乘积（品质因数）
极低的导通电阻 R DS(on)
无铅镀层
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供广泛而全面的 MOSFET 器件产品组合，涵盖 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。这些器件以业界领先的性能实现更高效率、功率密度与成本效益。对于需要高品质和增强保护功能的设计，采用符合 AEC-Q101 行业标准的汽车级 MOSFET 将带来显著优势。