Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 5.8 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 165-8190
- 制造商零件编号:
- IRFTS9342TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 165-8190
- 制造商零件编号:
- IRFTS9342TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSOP | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 66mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.75 mm | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.8A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSOP | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 66mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.75 mm | ||
高度 1.3mm | ||
长度 3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，5.8A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRFTS9342TRPBF
这款 MOSFET 专为各种应用中的高效率而设计，在需要增强性能和可靠性的电子电路中发挥着至关重要的作用。其低导通电阻和强大的电流处理能力有助于提高自动化和电气应用中的能效和系统稳定性。
特点和优势
• 低 Rds(on) 提高能效
• 5.8 A 的持续耗尽电流支持，可实现高效性能
• 最大漏极-源极电压为 30 V，确保经久耐用
• 表面贴装设计可实现紧凑、高效的布局
• 工作温度范围为 -55°C 至 +150°C ，增强了适应性
应用
• 用于电池驱动直流电机逆变器
• 用于各种电路中的系统或负载开关
• 适用于自动化系统中的驱动操作
• 用于电源管理系统，提高效率
该组件在极端温度下的性能如何？
它可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内有效工作，确保在各种环境下的可靠性。
低导通电阻有什么好处？
较低的 Rds（on）值可减少应用中的功率损耗，从而提高整体效率和热性能。
该设备能否处理脉冲电流？
是的，它能有效管理脉冲漏极电流，因此适用于电子产品中的动态应用。
它在电路中是如何安装的？
该器件专为表面贴装应用而设计，便于在印刷电路板上进行紧凑装配和有效利用空间。
在处理该组件时有哪些注意事项？
由于其对电压水平的敏感性，用户应确保妥善处理，遵守规定的最大栅极-源极电压限制。