Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 11 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 165-8214
- 制造商零件编号:
- IRF8707TRPBF
- 制造商:
- Infineon
不可供应
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- 制造商零件编号:
- IRF8707TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 17.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOIC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 17.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，11A 最大连续漏极电流，2.5W 最大功率耗散 - IRF8707TRPBF
这款 MOSFET 专为功率应用定制，可提高效率和散热性能。其低导通电阻和最小栅极电荷大大降低了传导和开关损耗，因此非常适合各种应用中的高效直流-直流转换器。紧凑型 SOIC 封装提高了通用性，可轻松集成到狭小的空间内。
特点和优势
• 低栅极电荷可减少应用中的开关损耗
• 11A 的最大连续耗尽电流提高了性能
• 高达 +150°C 的高温耐受性确保了可靠性
• 低 Rds(on) 提高了整体能效
• N 沟道配置可实现灵活的设计
• 完全符合雪崩电压和电流特性，安全性更高
应用
• 控制同步降压转换器中的 MOSFET
• 用于网络系统的隔离式直流-直流转换器
• 笔记本处理器电源管理解决方案
• 在自动化和控制系统中实施，提高性能
如何适应高温环境？
该器件可在高达 +150°C 的温度下有效工作，确保了在电力应用中典型的高热条件下的可靠性。
该产品如何管理功率耗散？
它的最大功率耗散为 2.5W，可平衡散热性能，降低过热风险。
它能处理不同的额定电压吗？
是的，它能承受 30V 的最大漏极-源极电压，因此可用于各种应用。
最大栅极阈值电压是多少？
最大栅极阈值电压为 2.35V，确保与各种驱动电路兼容。
低 Rds(on) 对其性能有何影响？
低漏极-源极导通电阻最大限度地减少了传导损耗，从而提高了效率并降低了运行期间的发热量。