STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 100 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, STripFET F7系列
- RS 库存编号:
- 165-8231
- 制造商零件编号:
- STB100N6F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1000 件）*
¥8,968.00
(不含税)
¥10,134.00
(含税)
有库存
- 另外 2,000 件在 2026年2月09日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | RMB8.968 | RMB8,968.00 |
| 5000 + | RMB8.699 | RMB8,699.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-8231
- 制造商零件编号:
- STB100N6F7
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | STripFET F7 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.6mm | |
| 宽度 | 9.35 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 STripFET F7 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.4mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.6mm | ||
宽度 9.35 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低设备通态电阻，内部电容和栅极电荷降低，以便更快、更高效地切换。