Infineon P沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 2.3 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚

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RS 库存编号:
165-8283
制造商零件编号:
IRF9953TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

2.3 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

400 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

2 W

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

6.1 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

2

宽度

4mm

长度

5mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

系列

HEXFET

高度

1.5mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

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