DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 4 A, SC-70, 表面安装, 3引脚, DMN3065LW系列
- RS 库存编号:
- 165-8329
- 制造商零件编号:
- DMN3065LW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥2,199.00
(不含税)
¥2,484.00
(含税)
有库存
- 3,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.733 | RMB2,199.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.719 | RMB2,157.00 |
| 12000 + | RMB0.704 | RMB2,112.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 165-8329
- 制造商零件编号:
- DMN3065LW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | DMN3065LW | |
| 包装类型 | SC-70 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 85mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 770mW | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.7nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 宽度 | 1.35 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 DMN3065LW | ||
包装类型 SC-70 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 85mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 770mW | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.7nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 2.2mm | ||
宽度 1.35 mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN