Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 160 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列

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166-0945
制造商零件编号:
IRLR8743PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

160A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

HEXFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.9mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

135W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

39nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

宽度

6.22 mm

高度

2.39mm

长度

6.73mm

标准/认证

No

汽车标准

否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，160A 最大连续漏极电流，135W 最大功率耗散 - IRLR8743TRPBF


这款 MOSFET 专为自动化和电子领域的高性能应用而设计。它采用 HEXFET 技术，在电源管理方面实现了显著的效率和可靠性。它能够处理大的连续泄放电流，因此适用于各种工业环境。

特点和优势


• 可处理最大 160A 连续漏极电流，性能稳定

• 最大漏极-源极电压为 30V，运行可靠

• 3.9mΩ 的低 Rds(on)值最大限度地减少了功率损耗

• 设计为增强型晶体管，以提高开关效率

• 表面贴装功能便于集成到电路设计中

• 额定工作温度高达 +175°C ，可改善热管理

应用


• 计算机电源中的高频同步降压转换器

• 电信系统中的隔离式直流-直流转换器

• 工业电源管理和自动化系统

• 需要低栅极阈值电压以实现高效开关的设备

• 需要紧凑型电源解决方案的各种电子设备

高温对其性能有何影响？


在高温下运行可提高其散热性能，使其能够有效管理高功率水平，同时确保在困难条件下的稳定性。

这项技术如何提高电子设备的效率？


HEXFET 技术由于 Rds（on）较低，可大幅降低功率损耗，使器件在高负载条件下高效运行，同时发热更少。

它能与其他半导体一起使用吗？


是的，它可以与混合信号电路中的其他半导体元件集成，从而增强整个电路的功能和性能。

其表面贴装设计有何意义？


表面贴装设计有助于在印刷电路板上进行紧凑装配，加强热管理，并优化电子应用中的空间。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


N 通道功率 MOSFET，30V，Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。