Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=100 V, 127 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
166-1007
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

127 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

6 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

250 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

9.65mm

典型栅极电荷@Vgs

120 nC @ 10 V

长度

10.67mm

最高工作温度

+175 °C

晶体管材料

Si

高度

4.83mm

最低工作温度

-55 °C

系列

HEXFET

COO (Country of Origin):
MX

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