Name: Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFI540NPBF, HEXFET系列
Brand: Infineon
SKU: 166-1055
Price: 6.74 CNY
Availability: InStock

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，20A 最大连续漏极电流，54W 最大功率耗散 - IRFI540NPBF

这种 MOSFET 专为电子工业中的高性能应用而开发，在电源管理中发挥着重要作用，并为电子信号的开关和放大提供了可靠的解决方案。它可以管理巨大的电压和电流负载，确保现代电子设备的效率。

特点和优势

• 连续漏极电流额定值高达 20A

• 额定电压为 100V，性能经久耐用

• 栅极阈值电压低，开关效率更高

• 功率耗散能力高达 54W，经久耐用

• 适用于各种应用的 N 沟道增强模式设计

• 52 mΩ 的低漏极-源极电阻最大限度地减少了能量损耗

应用

• 用于电子电路电源

• 适用于汽车电源管理系统

• 用于电机控制系统，提高效率

• 对可再生能源系统的电力转换非常重要

• 应用于自动化机械，实现有效的控制过程

该设备的最大持续额定电流是多少？

该器件支持 20A 的最大连续漏极电流，适合各种应用。

栅极阈值电压对性能有何影响？

栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，有利于在较低的控制电压下实现高效开关并提高性能。

该设备能否在高温环境中工作？

是的，它可以在高达 +175°C 的温度下工作，确保在挑战性条件下的性能。

是否建议采用特定的安装方式以获得最佳性能？

它适合通孔安装，可在不同应用中实现安全连接和有效的热管理。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

单位	每单位	Per Tube*
50 - 200	RMB5.968	RMB298.40
250 +	RMB5.848	RMB292.40

选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	20A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-220
	系列	HEXFET
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	52mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	94nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	54W
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	1.3V
	最高工作温度	175°C
	高度	8.9mm
	标准/认证	No
	宽度	4.83 mm
	长度	10.63mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 20A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-220
	系列 HEXFET
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 52mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 94nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 54W
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf 1.3V
	最高工作温度 175°C
	高度 8.9mm
	标准/认证 No
	宽度 4.83 mm
	长度 10.63mm
	汽车标准 AEC-Q101

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 20 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IRFI540NPBF, HEXFET系列