onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=12.5 A, 8针, SOIC, PowerTrench系列

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RS 库存编号:
166-1691
制造商零件编号:
FDS6680A
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12.5A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

SOIC

系列

PowerTrench

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

10mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

16nC

正向电压 Vf

0.7V

最大功耗 Pd

2.5W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

4mm

长度

5mm

高度

1.5mm

汽车标准

否

PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

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