onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 80 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 166-2545
- 制造商零件编号:
- FDB8832
- 制造商:
- ON Semiconductor
不可供应
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- ON Semiconductor
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ON Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 11.33mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 204 nC @ 10 V | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ON Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 80 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 300 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 11.33mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 204 nC @ 10 V | ||
长度 10.67mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 4.83mm | ||
系列 PowerTrench | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
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