onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=600 V, 300 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
166-2581
制造商零件编号:
FQN1N60CTA
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

300 mA

最大漏源电压

600 V

封装类型

TO-92

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

11.5 Ω

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

1 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

最高工作温度

+150 °C

晶体管材料

Si

长度

5.2mm

每片芯片元件数目

1

宽度

4.19mm

典型栅极电荷@Vgs

4.8 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

高度

5.33mm

系列

QFET

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。


QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor


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