onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 6.6 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, QFET系列
- RS 库存编号:
- 166-2629
- 制造商零件编号:
- FQD8P10TM
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥6,272.50
(不含税)
¥7,087.50
(含税)
有库存
- 5,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | RMB2.509 | RMB6,272.50 |
| 12500 + | RMB2.409 | RMB6,022.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 166-2629
- 制造商零件编号:
- FQD8P10TM
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | QFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 530mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -4V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 高度 | 2.3mm | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.6A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 QFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 530mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -4V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.1 mm | ||
高度 2.3mm | ||
长度 6.6mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。