onsemi P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 5.4 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
166-2635
制造商零件编号:
FQD7P06TM
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

P

最大连续漏极电流

5.4 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

451 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

2.5 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-25 V、+25 V

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

6.3 nC @ 10 V

长度

6.73mm

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

宽度

6.22mm

高度

2.39mm

最低工作温度

-55 °C

增强模式 P 通道 MOSFET ， ON Semiconductor


在半导体方面， P 通道 MOSFET 采用半导体专有的高细胞密度 DMOS 技术制造。这种非常高密度的过程旨在最大限度地减少状态电阻，从而为快速交换提供坚固可靠的性能。

特点和优势：


•电压控制的 P 通道小信号开关
•高密度单元设计
•高饱和度电流
•卓越的交换性能
•坚固耐用、可靠的性能
* DMOS 技术

应用：


•负载切换
• DC/DC 转换器
•电池保护
•电源管理控制
•直流电机控制

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。