onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 750 mA, SOT-363, 贴片安装, 6引脚, PowerTrench系列

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RS 库存编号:
166-2658
制造商零件编号:
FDG8850NZ
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

750 mA

最大漏源电压

30 V

封装类型

SOT-363

系列

PowerTrench

安装类型

贴片

引脚数目

6

最大漏源电阻值

400 mΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

0.65V

最大功率耗散

360 mW

晶体管配置

隔离式

最大栅源电压

-12 V、+12 V

典型栅极电荷@Vgs

1.03 nC @ 4.5 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

长度

2mm

宽度

1.25mm

每片芯片元件数目

2

高度

1mm

最低工作温度

-55 °C

PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor


SEMis PowerTrench ® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅电荷，小反向恢复和软反向恢复主体二极管，有助于在交流 / 直流电源中快速切换同步整流。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。