ROHM , 2 N型沟道 双 增强型 功率 MOSFET, Vds=30 V, 1 A, TSMT, 表面安装, 6引脚

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RS 库存编号:
168-2133
制造商零件编号:
QS6K1TR
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N型

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TSMT

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

238mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

1.25W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.7nC

最低工作温度

150°C

最大栅源电压 Vgs

12 V

晶体管配置

最高工作温度

-55°C

长度

3mm

高度

0.95mm

宽度

1.8 mm

标准/认证

No

每片芯片元件数目

2

汽车标准

复合型 MOSFET (N+N) 是采用微处理技术的低接通电阻设备,适用于广泛的应用。广泛的产品系列包含紧凑型、高功率型和复合型,可满足市场中的各种需求。

2.5V 驱动类型

N 通道中等功率 MOSFET

快速切换速度

小型表面安装封装

无铅

应用:

便携式数据端子

钮扣处理机器

数字万用表:便携式类型

电动机控制:无刷直流

PLC (可编程逻辑控制器)

交流伺服

网络连接存储

DVR/DVS

电动机控制:步进电机

电动机控制:刷式直流

POS (销售系统点)

电动自行车

嵌入式 PC

智能仪表

监控摄像头

X 射线检查机,以确保安全性

网络监控摄像头

对讲机/婴儿监控器

工业机器视觉摄像头

指纹验证设备

GFCI (接地故障电路中断器)

数字万用表:台式类型

EMS 显示屏

太阳能变频器

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