制造商编号

IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 96 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Polar系列

RS 库存编号:: 168-4465
制造商零件编号:: IXFH96N20P
制造商:: IXYS

IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 96 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Polar系列

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单位	每单位	Per Tube*
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RS 库存编号:: 168-4465
制造商零件编号:: IXFH96N20P
制造商:: IXYS

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	IXYS
	通道类型	N
	最大连续漏极电流	96 A
	最大漏源电压	200 V
	封装类型	TO-247
	系列	HiperFET, Polar
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻值	24 mΩ
	通道模式	增强
	最大栅阈值电压	5V
	最大功率耗散	600 W
	晶体管配置	单
	最大栅源电压	-20 V、+20 V
	每片芯片元件数目	1
	典型栅极电荷@Vgs	145 nC @ 10 V
	宽度	5.3mm
	晶体管材料	Si
	最高工作温度	+175 °C
	长度	16.26mm
	最低工作温度	-55 °C
	高度	21.46mm

	选择全部
	品牌 IXYS
	通道类型 N
	最大连续漏极电流 96 A
	最大漏源电压 200 V
	封装类型 TO-247
	系列 HiperFET, Polar
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻值 24 mΩ
	通道模式增强
	最大栅阈值电压 5V
	最大功率耗散 600 W
	晶体管配置单
	最大栅源电压 -20 V、+20 V
	每片芯片元件数目 1
	典型栅极电荷@Vgs 145 nC @ 10 V
	宽度 5.3mm
	晶体管材料 Si
	最高工作温度 +175 °C
	长度 16.26mm
	最低工作温度 -55 °C
	高度 21.46mm

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列

IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。

MOSFET 晶体管，IXYS