IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 72 A, SOT-227, 螺钉安装, 4引脚, HiperFET, Polar系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣

小计（1 管，共 10 件）*

¥2,890.32

(不含税)

¥3,266.06

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 110 件在 2025年12月08日 发货
  • 另外 350 件在 2026年8月14日 发货
  • 另外 70 件在 2026年8月28日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tube*
10 - 10RMB289.032RMB2,890.32
20 +RMB283.252RMB2,832.52

* 参考价格

RS 库存编号:
168-4484
制造商零件编号:
IXFN82N60P
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

通道类型

N

最大连续漏极电流

72 A

最大漏源电压

600 V

封装类型

SOT-227

系列

HiperFET, Polar

安装类型

螺钉

引脚数目

4

最大漏源电阻值

75 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最大功率耗散

1.04 kW

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

晶体管材料

Si

最高工作温度

+150 °C

长度

38.2mm

典型栅极电荷@Vgs

240 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

宽度

25.07mm

高度

9.6mm

最低工作温度

-55 °C

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列


IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备