IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 168-4500
- 制造商零件编号:
- IXFP12N50P
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 管，共 50 件）*
¥961.30
(不含税)
¥1,086.25
(含税)
暂时缺货
- 50 件在 2026年1月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB19.226 | RMB961.30 |
| 100 - 150 | RMB18.649 | RMB932.45 |
| 200 + | RMB18.276 | RMB913.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-4500
- 制造商零件编号:
- IXFP12N50P
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 500mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 200W | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 29nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 长度 | 10.66mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 500mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 200W | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 29nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.83 mm | ||
长度 10.66mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备