IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 110 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, Trench系列
- RS 库存编号:
- 168-4583
- 制造商零件编号:
- IXTH110N25T
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 管，共 30 件）*
RMB1,598.40
(不含税)
RMB1,806.30
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年9月02日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB53.28 | RMB1,598.40 |
| 60 - 90 | RMB51.681 | RMB1,550.43 |
| 120 + | RMB50.647 | RMB1,519.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-4583
- 制造商零件编号:
- IXTH110N25T
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 110A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 系列 | Trench | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 24mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 694W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 157nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 高度 | 21.46mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 110A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
系列 Trench | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 24mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 694W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 157nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 16.26mm | ||
高度 21.46mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 Trench-Gate 功率 MOSFET，IXYS
Trench Gate MOSFET 技术
低通态电阻 RDS（开启）
极佳的可耐受雪崩性
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
相关链接
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=250 V, 110 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXTH110N25T, Trench系列
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1 kV, 12 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, Linear系列
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1 kV, 12 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXTH12N100L, Linear系列
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 48 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 80 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 62 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 34 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, X2-Class系列
- IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 48 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, IXTH48N65X2, X2-Class系列