IXYS N沟道增强型MOS管, Vds=500 V, 60 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, HiperFET, Polar3系列
- RS 库存编号:
- 168-4730
- 制造商零件编号:
- IXFH60N50P3
- 制造商:
- IXYS
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | RMB62.382 | RMB1,871.46 |
| 60 - 90 | RMB61.134 | RMB1,834.02 |
| 120 + | RMB59.30 | RMB1,779.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-4730
- 制造商零件编号:
- IXFH60N50P3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 系列 | HiperFET, Polar3 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大功率耗散 | 1.04 kW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 宽度 | 5.3mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 16.26mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 21.46mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
系列 HiperFET, Polar3 | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 100 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大功率耗散 1.04 kW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
宽度 5.3mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 96 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 16.26mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 21.46mm | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列
一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备