IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=500 V, 82 A, SOT-227, 面板安装, 4引脚, IXFN100N50Q3
- RS 库存编号:
- 168-4752
- 制造商零件编号:
- IXFN100N50Q3
- 制造商:
- IXYS
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-4752
- 制造商零件编号:
- IXFN100N50Q3
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 82A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | SOT-227 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 49mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 255nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 960W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 38.23mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 25.07 mm | |
| 高度 | 9.6mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 82A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 SOT-227 | ||
安装类型 面板 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 49mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 255nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 960W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 38.23mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 25.07 mm | ||
高度 9.6mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷）
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备