IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=55 V, Id=550 A, 24针, SMPD, GigaMOS, HiperFET系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 管，共 20 件）*

RMB5,598.40

(不含税)

RMB6,326.20

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年4月19日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
Per Tube*
20 - 20RMB279.92RMB5,598.40
40 - 60RMB271.522RMB5,430.44
80 +RMB266.091RMB5,321.82

* 参考价格

RS 库存编号:
168-4794
制造商零件编号:
MMIX1T550N055T2
制造商:
IXYS
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

IXYS

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

550A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

GigaMOS, HiperFET

包装类型

SMPD

安装类型

表面

引脚数目

24

最大漏源电阻 Rd

1.3mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

830W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

595nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

175°C

高度

5.7mm

宽度

23.25mm

长度

25.25mm

标准/认证

No

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列


MOSFET 晶体管，IXYS


IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

相关链接