IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 46 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 168-4811
- 制造商零件编号:
- IXFH46N65X2
- 制造商:
- IXYS
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 168-4811
- 制造商零件编号:
- IXFH46N65X2
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 46A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 69mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 660W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 98nC | |
| 正向电压 Vf | 1.4V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 21.34 mm | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 46A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 69mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 660W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 98nC | ||
正向电压 Vf 1.4V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 21.34 mm | ||
高度 5.21mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 16.13mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- US
N 通道功率 MOSFET ， IXYS HiPerFET ™ X2 系列
与前几代的功率MOSFET 相比， IXYS X2 类 HiPerFET 功率MOSFET 系列显著降低电阻和栅极电荷，从而降低了损耗，提高了操作效率。这些坚固耐用的器件包含增强型高速固有二极管，适用于硬切换和谐振模式应用。X2 类功率MOSFET可采用多种行业标准封装，包括隔离型，在 650V 时额定电流高达 120A。典型应用包括直流 - 直流转换器，交流和直流电动机驱动器，开关模式和谐振模式电源，直流截波器，太阳能逆变器，温度和照明控制。
非常低的 RDS (接通) 和 QG (栅极电荷)
快速固有整流器二极管
低固有栅极电阻
低封装电感
工业标准封装
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备