STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=650 V, 25 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, MDmesh DM2系列
- RS 库存编号:
- 168-5898
- 制造商零件编号:
- STW33N60DM2
- 制造商:
- STMicroelectronics
不可供应
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 25 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 系列 | MDmesh DM2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 190 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.6V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 25 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
系列 MDmesh DM2 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 130 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 190 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 47 nC @ 10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 15.75mm | ||
宽度 5.15mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 20.15mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.6V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
符合 AEC-Q101
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics