Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 23.8 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, CoolMOS P6系列
- RS 库存编号:
- 168-5906
- 制造商零件编号:
- IPB60R160P6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 168-5906
- 制造商零件编号:
- IPB60R160P6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 23.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | CoolMOS P6 | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 160mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 176W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 长度 | 10.31mm | |
| 宽度 | 4.57 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 23.8A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 CoolMOS P6 | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 160mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 176W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 9.45mm | ||
长度 10.31mm | ||
宽度 4.57 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET
Infineon 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。