Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS CE系列, Vds=550 V, 7.6 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3 + Tab引脚

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RS 库存编号:
168-5926
制造商零件编号:
IPN50R800CEATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

7.6 A

最大漏源电压

550 V

封装类型

SOT-223

安装类型

贴片

引脚数目

3 + Tab

最大漏源电阻值

800 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大功率耗散

5 W

最大栅源电压

-30 V、+30 V

典型栅极电荷@Vgs

12.4 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

宽度

3.7mm

最高工作温度

+150 °C

长度

6.7mm

高度

1.7mm

正向二极管电压

0.83V

最低工作温度

-40 °C

系列

CoolMOS CE

COO (Country of Origin):
CN

Infineon CoolMOS™ CE 功率 MOSFET



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。