Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=80 V, 10 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚

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RS 库存编号:
168-5972
制造商零件编号:
IRF7854TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

80 V

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

13.4 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4.9V

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

2.5 W

最大栅源电压

-20 V、+20 V

长度

5mm

典型栅极电荷@Vgs

10 V 时，27 常闭

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

宽度

4mm

最低工作温度

-55 °C

系列

HEXFET

高度

1.5mm

正向二极管电压

1.3V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon


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