Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 180 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 168-6012
- 制造商零件编号:
- IRFS4010TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 168-6012
- 制造商零件编号:
- IRFS4010TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 143nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 143nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 4.83mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，180A 最大连续漏极电流，375W 最大功率耗散 - IRFS4010TRLPBF
这款大功率 MOSFET 可在各种应用中提供当代电子系统所必需的强大性能。其增强模式运行和先进的 HEXFET 技术可提供高效的电源管理，适合需要可靠电源控制的应用。
特点和优势
• 支持高达 180A 的连续漏极电流，可用于大负载
• 最大漏源电压额定值为 100V，具有灵活性
• 4.7mΩ 的低 Rds(on)最大限度地减少了运行期间的功率损耗
• 采用单一配置设计，更易于集成
• 有效处理高达 +175°C 的温度
• 可进行高速电源切换，实现高效运行
应用
• 用于开关模式电源的同步整流
• 适用于不间断供电系统
• 应用于硬开关和高频电路
• 用于需要高效电源管理的自动化设备中
• 能很好地融入各种机电项目
电阻对高频应用中的性能有何影响？
低 Rds（on）可显著减少发热和功率损耗，提高高频功率转换器的效率。
需要多大的栅极电压才能确保最佳运行？
该器件可在 2V 至 4V 的栅极源极电压下有效工作，建议使用 10V 电压以实现最高效率。
该组件的安装是否简单？
是的，这种表面贴装 MOSFET 设计用于在印刷电路板上轻松贴装，可在各种设备中进行快速可靠的设置。
它能有效处理热管理问题吗？
它的最高工作结温为 +175°C ，适合在要求热性能稳定的环境中使用。
哪些类型的电路可以从集成该元件中受益？
它是自动化和电气领域中高速开关应用、负载驱动电路和电源管理系统的理想之选。